消息称 I/O 翻倍影响 HBM4 DRAM Die 面积，12Hi 堆栈超 600 美元

6月10日消息，韩媒thebell当地时间昨日报道称，由于HBM4内存的I/O数量较此前产品翻倍至2048，在HBM4DRAM上沿用1b工艺的SK海力士和美光不得不扩大DRAMDie的面积，降低了单晶圆上可生产的HBMDRAMDie数量。
不过对于三星电子而言，由于其HBM4内存的DRAMDie工艺将从前代的1anm升级两代到1cnm，预计单晶圆DRAMDie产量仍将有所提升。但考虑到工艺复杂度的变化，三星的HBM4实际成本也将增加。业界消息预计，HBM4内存的早期规格12Hi36GB的市场售价将超过600美元（注：现汇率约合4311元人民币），形成较同容量HBM3E的明显溢价。