M31 円星科技宣布其 eUSB2 PHY IP 已在台积电 2nm 制程设计定案

4月27日消息，半导体IP企业M31円（yuán）星科技本月25日宣布，其eUSB2PHY（注：物理层）IP已在台积电2nm制程节点完成设计定案，同时在3nm节点上的版本已完成硅验证。
eUSB2是USB2.0面向嵌入式应用的PHY修订版本，调整了信号电压以适应先进工艺节点对电压的更低耐受性同时具有更优秀的能效；USB-IF还为该规范推出了改进的v2版，将速度上限提升到和USB3.2Gen1接近的4.8Gbps。

▲M31广泛的eUSB2IP

M31円星科技表示其eUSB2IP解决方案已被多家全球领先的高阶智能手机芯片与AI图像处理应用大厂广泛采用。对于eUSB2V2，该企业正积极开发相关IP，布局台积公司N3与N2制程技术，进一步扩展完整的eUSB2解决方案平台。