消息称三星电子 1c 纳米内存良率明显提升，设计改进起到关键作用

6月24日消息，参考韩媒SEDaily当地时间本月19日报道和另一家韩媒MK的今日报道，三星电子的第六代10纳米级（注：即1cnm）DRAM内存工艺在设计改进等的推动下良率明显提升。SEDaily在报道中宣称，三星去年1cnm内存的良率还不到30%，而在今年五月的性能测试中良率达到了50%~70%；MK则提到了60%以上的近期良率数据。
两家韩媒都表示，良率的明显提升是大胆的设计变更的作用，这虽然会导致量产时间的延后，但在技术层面取得了显著的改进。由于在HBM市场的失利，三星电子在今年一季度将DRAM内存营收第一的宝座拱手让给SK海力士。考虑到三星的HBM4内存就基于1cnmDRAM，该工艺的良率改善有望为三星重振旗鼓打下坚实基础。